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研究用総合機器

特徴

  • デュアルNチャンネルMOSFETPowerPAIRR、VishaySemiconductor
  • 単一の小型パッケージに搭載されたハイサイド/ローサイドMOSFETで、2ディスクリートに匹敵する低オン抵抗と高電流を実現します。

仕様

  • 入数:1リール(3000個入)
  • チャンネルタイプ:N
  • 最大連続ドレイン電流:9.5 A、14.5 A
  • 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V
  • 最大ドレイン-ソース間抵抗:17 mΩ, 30 mΩ
  • 最低ゲートしきい値電圧:1V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
  • パッケージタイプ:PowerPAIR
  • 実装タイプ:表面実装
  • ピン数:8
  • チャンネルモード:エンハンスメント型
  • カテゴリー:パワーMOSFET
  • 最大パワー消費:20 W、33 W
  • 動作温度 Min:-55 °C
  • RoHS適合状況:適合
  • コード番号:165-6940
即完売しており少しレアかもしれません。

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